靶材制約著濺鍍薄膜的物理，力學(xué)性能，影響鍍膜質(zhì)量，因而要求靶材的制備應(yīng)滿足以下要求：

1、純度：要求雜質(zhì)含量低純度高，靶材的純度影響薄膜的均勻性，以純Al靶為例，純度越高，濺射Al膜的耐蝕性及電學(xué)、光學(xué)性能越好。不過不同用途的靶材對純度要求也不同，一般工業(yè)用靶材純度要求不高，但就半導(dǎo)體、顯示器件等領(lǐng)域用靶材對純度要求是十分嚴(yán)格的，磁性薄膜用靶材對純度的要求一般為99.9%以上，ITO中的氧化銦以及氧化錫的純度則要求不低于99.99%。

2、雜質(zhì)含量：靶材作為濺射中的陰極源，固體中的雜質(zhì)和氣孔中的O2和H2O是沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對單個雜質(zhì)含量的要求也不同，如：半導(dǎo)體電極布線用的W，Mo，Ti等靶材對U，Th等放射性元素的含量要求低于3*10-9，光盤反射膜用的Al合金靶材則要求O2的含量低于2*10-4。

3、高致密度：為了減少靶材中的氣孔，提高薄膜的性能一般要求靶材具有較高的致密度，靶材的致密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現(xiàn)象等，還影響濺射薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。致密性越好，濺射膜粒子的密度越低，放電現(xiàn)象越弱。高致密度靶材具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性好，強度高等優(yōu)點，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材的使用壽命長，且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。靶材的致密度主要取決于制備工藝。一般而言，鑄造靶材的致密度高而燒結(jié)靶材的致密度相對較低，因此提高靶材的致密度是燒結(jié)制備靶材的技術(shù)關(guān)鍵之一。

4、成分與組織結(jié)構(gòu)均勻，靶材成分均勻是鍍膜質(zhì)量穩(wěn)定的重要保證，尤其是對于復(fù)相結(jié)構(gòu)的合金靶材和混合靶材。如ITO，為了保證膜質(zhì)量，要求靶中In2O3-SnO2組成均勻，都為93:7或91:9（分子比）。

5、晶粒尺寸細小，靶材的晶粒尺寸越細小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。我公司生產(chǎn)的靶材具有高密度、高純度、高加工精度、晶粒細小、組織均勻等優(yōu)點。